MAXScanner 엔지니어링 계산기
업데이트 2026-09-18
MOSFET 게이트 구동 계산기 — 게이트 전류, 전력 및 스위칭 시간
총 게이트 전하, 구동 전압, 주파수, 입력한 게이트 저항으로부터 MOSFET 게이트 구동의 평균 전류, 구동 전력, 피크 전류 및 전하 기반 스위칭 시간을 추정합니다.
입력
결과
평균 게이트 전류 5 mA
게이트 구동 전력 50 mW
피크 게이트 전류 1 A
전하 기반 스위칭 추정 50 ns
추가 작업
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계산 과정 단계별 보기
위에 입력한 값을 대입한 과정으로 결과를 독립적으로 확인할 수 있습니다.
- 1.변환: Qg = 50 nC = 0.00000005 C; f = 100 kHz = 100,000 Hz.
- 2.평균 게이트 전류: Qg × f = 0.00000005 × 100,000 = 5 mA.
- 3.게이트 구동 전력: Qg × Vdrive × f = 50 nC × 10 V × 100 kHz = 50 mW.
- 4.피크 게이트 전류: Vdrive ÷ Rg = 10 ÷ 10 = 1 A; 전하 기반 스위칭 추정: Qg ÷ Ipeak ≈ 50 ns.
공식, 예시 및 제한
Iavg=Qg·f; Pgate=Qg·Vdrive·f; Ipeak≈Vdrive/Rg; tswitch≈Qg/Ipeak.
50 nC, 100 kHz, 10 V이면 평균 게이트 전류는 약 5 mA, 이상적인 게이트 구동 전력은 50 mW입니다.
- 게이트 전하 기반 시간은 1차 근사 추정이며, Qg는 VGS, VDS 및 동작점에 따라 달라집니다.
- 드라이버 출력 저항, 내부 게이트 저항, 밀러 플래토(Miller plateau), 기생 성분, 데드타임 및 EMI 제약은 데이터시트 수준의 설계가 필요합니다.
자주 묻는 질문
게이트 피크 전류가 평균 전류보다 훨씬 큰 이유는 무엇인가요?
게이트는 짧은 스위칭 펄스 동안 전하를 흡수합니다. 평균 전류는 Qg × 스위칭 주파수이며, 순간 전류는 드라이버와 게이트 경로의 임피던스에 의해 결정됩니다.
게이트 저항은 가능한 한 작게 선택해야 하나요?
자동으로 그렇지는 않습니다. 엣지가 빨라지면 스위칭 손실은 줄어들 수 있지만, 링잉, EMI, 오버슈트 및 드라이버 부담이 커질 수 있습니다.
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